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單晶硅片
[ 作者:佚名    點擊數:1822    日期:2012年6月11日 ]

規格(尺寸)  125×125
導電類型  P型,摻雜 P type
晶向  <100>±3°
電阻率范圍(歐母·厘米)  0.5~3 Ω.cm
少子壽命 (μs)  ≥10
氧含量(atoms/cm3)  ≤1.0×1018
碳含量(atoms/cm3)  ≤5×1016
位錯密度(個/cm2)  ≤3000
晶體硅片邊長(mm)  125×125±0.5
對角線(mm)  150±0.5
厚度值(μm)  200±20
厚度差異(μm)  ≤30
彎曲度(μm)  <50
外觀狀況  清潔,無污,無指紋,無凹坑,無孔洞

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