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單晶硅片
[ 作者:佚名    點擊數:1589    日期:2012年6月11日 ]

單晶制備方法 CZ
  導電類型 P
  摻雜劑 Boron(B)
  晶向 <100>
  晶向偏離度 <±
  電阻率范圍(ρ) 0.5-2Ω·cm或3-6Ω·cm
  少數截流子壽命(τd) >10µS
  氧含量(OI) ≤1.0*1018/cm3
  碳含量© ≤5.0*1016/cm3
  位錯密度(Nd) ≤3000/cm2
  硅片尺寸 156*156±0.5mm
  硅片直徑 203mm±0.5
  厚度 其他
  總厚度變化 <50µm

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